j-global id：201702251434493440 整理番号：17a0048553 180nm cmosプロセスにおける14ビット250ms /秒ifサンプリング・パイプラインadc 180nm BCDパワーマネジメントプラットフォーム あらゆる製品設計に対応可能な単一プラットフォーム Contact Us Back to Power Management タワーセミコンダクターの180nmパワーマネジメントモジュールテクノロジープラットフォームは、幅広い動作電圧に対して先端的な性能・効率・設計、および … The origin of the 180 nm value is historical, as it reflects a trend of 70% scaling every 2–3 years. 半導体プロセス概論（ウェハプロセス） （ソニー株式会社） 服部 毅* 1．はじめに 半導体技術の牽引役がコンピュータ用のダイナミッ ク・ランダムアクセス・メモリ（DRAM）からデジタル家電 用のシステム LSI（large-scale integrated circuit,大 を 180nm CMOSプロセスを用いた32×32画素並列VCO型ADC構成テラヘルツイメージセンサ : サブタイトル（和） タイトル（英） A 32X32-Pixel 0.9THz Imager with Pixel-Parallel 12b VCO-Based ADC in 0.18μm CMOS : サブタイトル（英） キーワード(1)（和/英） テラヘルツ / terahertz CMOSプロセス・フロー（10） 多層メタル配線 パッシベーション 膜形成 層間絶縁膜 窒化膜 酸化膜 p基板 pｳｴﾙ nｳｴﾙ パッシベーション膜 コンタクト(W) 第1メタル 第2メタル ビア(W) 層間絶縁膜デポジション 第2メタル配線形成 （第1メタルと同様に形成） The 180 nm process refers to the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercialized around the 1998–2000 timeframe by leading semiconductor companies, starting with TSMC and Fujitsu, then followed by Sony, Toshiba, Intel, AMD, Texas Instruments and IBM.. 教育研究センター(vdec) を利用し，試作時に選択可能であった最小プロセスである 0.18 µm cmos プロセスを用いて，設計した回路の集積回路を試作している．提案された f/f+f/b ota と，それを用いたa-rcpfは2006 年に1 次試作が行われている．